Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 40 A 69 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 214-4340
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ070N08LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 214-4340
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ070N08LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.4mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.4mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 3.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
OptiMOSTM 5-Leistungs-MOSFETs mit Logikpegel bieten niedrige RDS(on) in einem kleinen Gehäuse
Die OptiMOSTM 5-Leistungs-MOSFETs der Logikstufe von Infineon eignen sich hervorragend für drahtloses Laden, Adapter und Telekommunikationsanwendungen. Niedrige Gate-Ladung der Geräte (Q g) verringert die Schaltverluste, ohne die Leitungsverluste zu beeinträchtigen. Die verbesserten Verdienstfiguren ermöglichen den Betrieb bei hohen Schaltfrequenzen. Darüber hinaus bietet der Logikpegelantrieb eine niedrige Gate-Schwellenspannung (V GS(th)) können die MOSFETs bei 5 V und direkt von Mikrocontrollern angetrieben werden.
Zusammenfassung der Merkmale
Vorteile
Anwendungsmöglichkeiten
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