Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 34 A 117 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-4438
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R099P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.5.161 | CHF.25.82 |
| 10 - 20 | CHF.4.495 | CHF.22.46 |
| 25 - 45 | CHF.4.232 | CHF.21.17 |
| 50 - 120 | CHF.3.919 | CHF.19.61 |
| 125 + | CHF.3.616 | CHF.18.07 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4438
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R099P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 99mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 117W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 117W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 600-V-Cool-MOS-P7-Super Junction-MOSFET ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.
Er verfügt über eine robuste Gehäusediode
Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit
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