Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 140 A 200 W TO-263

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RS Best.-Nr.:
217-2637
Herst. Teile-Nr.:
IRL3803STRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

140A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

140nC

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.83 mm

Länge

10.67mm

Höhe

15.88mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 30 V Single N-Kanal IR MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse.

Planare Zellstruktur für eine breite Optimierung für eine breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstrombelastbares Gehäuse (bis zu 195 A, abhängig von der Matrizengröße)

Kann wellengelötet werden

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