Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 140 A 200 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 217-2638
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL3803STRLPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.953 | CHF.19.53 |
| 50 - 90 | CHF.1.859 | CHF.18.54 |
| 100 - 240 | CHF.1.775 | CHF.17.78 |
| 250 - 490 | CHF.1.701 | CHF.17.00 |
| 500 + | CHF.1.586 | CHF.15.81 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2638
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL3803STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 140A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 140nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Höhe | 15.88mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 140A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 140nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.83 mm | ||
Höhe 15.88mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 30 V Single N-Kanal IR MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse.
Planare Zellstruktur für eine breite Optimierung für eine breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard
Hochstrombelastbares Gehäuse (bis zu 195 A, abhängig von der Matrizengröße)
Kann wellengelötet werden
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