Teile-Nr.

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 140 A 200 W IRL3803STRLPBF TO-263

RS Best.-Nr.:: 217-2638
Herst. Teile-Nr.:: IRL3803STRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 140 A 200 W IRL3803STRLPBF TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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100 - 240	CHF.1.659	CHF.16.56
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RS Best.-Nr.:: 217-2638
Herst. Teile-Nr.:: IRL3803STRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	140A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	9mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	200W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	140nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	4.83 mm
	Länge	10.67mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	15.88mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 140A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 200W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 140nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 4.83 mm
	Länge 10.67mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 15.88mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRL3803STRLPBF

Der Infineon 30 V Single N-Kanal IR MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse.

Planare Zellstruktur für eine breite Optimierung für eine breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstrombelastbares Gehäuse (bis zu 195 A, abhängig von der Matrizengröße)

Kann wellengelötet werden

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 140 A 200 W IRL3803STRLPBF TO-263

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