Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 73 A 100 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 218-3037
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD096N08N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPD096N08N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 73A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.6mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 73A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.6mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET ist ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen.
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
N-Kanal, normale
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Pb-frei Beschichtung; RoHS-konform
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