Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 73 A 100 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD096N08N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

73A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.6mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET ist ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen.

Optimierte Technik für DC/DC-Wandler

N-Kanal, normale

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Pb-frei Beschichtung; RoHS-konform

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