Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 49 A 72 mW, 3-Pin IPD65R190C7ATMA1 TO-252

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220-7409
Herst. Teile-Nr.:
IPD65R190C7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

49A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS C7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

72mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon Cool MOS C7 Super Junction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.

650 V Spannung

Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss)

Niedrigere Gate-Ladung Qg.

Platzsparend durch Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung von Teile

12 Jahre Herstellerfahrung in der Super-Junction-Technologie

Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS und Solar Wechselrichteranwendungen

Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse

Niedrige Schaltverluste

Bessere Effizienz bei geringer Last

Erhöhung der Leistungsdichte

Hervorragende Cool MOS TM-Qualität

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