Infineon CoolMOS C7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 49 A 72 mW, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 220-7409
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD65R190C7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.9.695
Auf Lager
- Zusätzlich 2'455 Einheit(en) mit Versand ab 07. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF 1.939 | CHF 9.70 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7409
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD65R190C7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 49A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 900mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 72mW | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 49A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 900mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 72mW | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Cool MOS C7 Super Junction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.
650 V Spannung
Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse
Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss)
Niedrigere Gate-Ladung Qg.
Platzsparend durch Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung von Teile
12 Jahre Herstellerfahrung in der Super-Junction-Technologie
Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS und Solar Wechselrichteranwendungen
Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse
Niedrige Schaltverluste
Bessere Effizienz bei geringer Last
Erhöhung der Leistungsdichte
Hervorragende Cool MOS TM-Qualität
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 49 A 72 mW, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 13 A 72 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 13 A 72 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 46 A 227 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 46 A 227 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 75 A 446 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 46 A 227 W, 4-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 10 A 67 W, 4-Pin PG-VSON-4