onsemi NTBGS2D Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 169 A 136 W, 7-Pin NTBGS2D5N06C TO-263-7

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Herst. Teile-Nr.:
NTBGS2D5N06C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

169A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

NTBGS2D

Gehäusegröße

TO-263-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45.4nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.2mm

Höhe

15.7mm

Breite

4.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor 60 V Leistungs-MOSFET verwendete 169 A Abflussstrom mit einem N-Kanal. Es hat ein geringeres Schaltgeräusch/EMI und minimiert Leitungsverluste.

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten

Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

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