Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 222-4673
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R280P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4673
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R280P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
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