Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 53 W, 3-Pin IPD60R280P7ATMA1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD60R280P7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

53W

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

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