Infineon BSS123I N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 190 mA 0.5 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 225-0556
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123IXTSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 225-0556
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123IXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | BSS123I | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.63nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Breite | 3.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie BSS123I | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.63nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.8mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Breite 3.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon BSS123I Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 190 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS123IXTSA1
Dieser MOSFET ist ein Kleinsignal-N-Kanal-Transistor, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde und Schalt- und Verstärkungsfunktionen über einen breiten Temperaturbereich bietet. Er ist für Schaltkreise vorgesehen, die ein Depletion-Modus-Gerät mit bescheidener Strombelastbarkeit und moderater Spannungsbelastbarkeit erfordern. Er eignet sich für kompakte Baugruppen, bei denen ein SOT-223-Gehäuse und eine konservative Leistungsaufnahme erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 100 V Drain-to-Source-Nennleistung bietet Hochspannungsschaltfähigkeit
• 10 Ω maximaler RDS(on) sorgt für kontrollierte Leitung im eingeschalteten Zustand
• 190 mA kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt niedrige Stromlasten
• Die Verlustleistung von 0,5 W begrenzt die thermische Belastung in beengten Layouts
• Eine typische Gate-Ladung von 0,63 nC ermöglicht einen bescheidenen Schaltenergiebedarf
• Die Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht eine große Flexibilität des Gate-Antriebs
• 10 Ω maximaler RDS(on) sorgt für kontrollierte Leitung im eingeschalteten Zustand
• 190 mA kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt niedrige Stromlasten
• Die Verlustleistung von 0,5 W begrenzt die thermische Belastung in beengten Layouts
• Eine typische Gate-Ladung von 0,63 nC ermöglicht einen bescheidenen Schaltenergiebedarf
• Die Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht eine große Flexibilität des Gate-Antriebs
Anwendungsbereich
• Wird für schwachstrom-Hochspannungsschaltungen in Steuerkreisen verwendet
• Geeignet für oberflächenmontiertes Strommanagement auf kompakten Leiterplatten
• Ideal für analoge Signaldämpfung oder Pull-Down-Funktionen
• Kann zur Pegelverschiebung in Systemen mit gemischter Spannung verwendet werden
• Wird mit Treiberstufen verwendet, die Verlustmodus-Eigenschaften benötigen
• Geeignet für oberflächenmontiertes Strommanagement auf kompakten Leiterplatten
• Ideal für analoge Signaldämpfung oder Pull-Down-Funktionen
• Kann zur Pegelverschiebung in Systemen mit gemischter Spannung verwendet werden
• Wird mit Treiberstufen verwendet, die Verlustmodus-Eigenschaften benötigen
In welchem Umgebungstemperaturbereich kann es betrieben werden?
Er ist spezifiziert für den ordnungsgemäßen Betrieb von -55 °C bis 150 °C.
Welches Gehäuse sollten Entwickler beim Aufstellen der Platine planen?
Das Gerät wird in einem SOT-223-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit vier Pins für die Leiterplatten-Footprintplanung geliefert.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Schaltleistung aus?
Eine typische Gate-Ladung von 0,63 nC reduziert die erforderliche Gate-Antriebsenergie und beeinflusst die Übergangsgeschwindigkeit in Schalttopologien.
Was begrenzt den maximalen Dauerstrom in Anwendungen?
Der spezifizierte Dauerstrom von 190 mA definiert thermische und Leitungsgrenzen für einen dauerhaften Betrieb.
Ist dies als Komponente in Automobilqualität vorgesehen?
Es ist nicht nach Automobilstandards klassifiziert und sollte nicht davon ausgegangen werden, dass es die Automobilqualifizierung erfüllt.
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