Teile-Nr.

Infineon BSS123I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 190 mA 0.5 W, 4-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 225-0556
Herst. Teile-Nr.:: BSS123IXTSA1
Marke:: Infineon

Infineon BSS123I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 190 mA 0.5 W, 4-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 225-0556
Herst. Teile-Nr.:: BSS123IXTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	190mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	BSS123I
	Gehäusegröße	SOT-223
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	10Ω
	Channel-Modus	Entleerung
	Maximale Verlustleistung Pd	0.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	0.63nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.7mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.8mm
	Breite	3.7 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie BSS123I
	Gehäusegröße SOT-223
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω
	Channel-Modus Entleerung
	Maximale Verlustleistung Pd 0.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.63nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.7mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.8mm
	Breite 3.7 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet-BSS123IXTSA1

Die Infineon BSS123I ist ein kleines Signal, kleine Leistungs-N- und P-Kanal-MOSFETs bieten eine Vielzahl von VGS(th)-Pegeln und RDS(on)-Werten sowie mehrere Spannungsklassen. Dieser MOSFET verfügt über Anreicherungs- und Abarmungsmodus-Optionen.

Platz auf der Leiterplatte und Kosteneinsparungen

Torantriebsflexibilität

Geringere Designkomplexität

Umweltfreundlich

Hoher Gesamtwirkungsgrad

Infineon BSS123I Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 190 mA 0.5 W, 4-Pin SOT-223

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