Vishay E N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 225-9912
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB5N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 225-9912
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB5N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.65mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 15.88mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.65mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 15.88mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Ziss)
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Lawinenenergie (UIS)
Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin IPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 850 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-252
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.9 A 62.5 W, 3-Pin IPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 2.9 A 62.5 W, 3-Pin TO-252
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 21 A 208 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 179 W, 3-Pin TO-263