Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
229-1818
Herst. Teile-Nr.:
IPB120P04P4L03ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

IPB120P04P4L-03, –40 V, P-Kanal, max. 3,1 mΩ, Kfz-MOSFET, D2PAK, OptiMOSTM-P2


Der P-Kanal-Logikpegel-MOSFET von Infineon hat die höchste Strombelastbarkeit und ist zu 100 Prozent Lawinengeprüft. Er hat die niedrigsten Schalt- und Leitungsverluste für höchsten thermischen Wirkungsgrad.

Zusammenfassung der Merkmale


•P-Kanal - Logik Ebene - Anreicherungstyp

•AEC-Zulassung

•MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

•175 °C Betriebstemperatur

•Grünes Gehäuse (RoHS-konform)

•100 % Lawinengeprüft

Vorteile


•Für einen hohen Seitenantrieb ist keine Ladepumpe erforderlich.

•Einfache Schnittstellen-Treiberschaltung

•Weltweit niedrigster RDSon bei 40 V

•Höchste Strombelastbarkeit

•Niedrigste Schalt- und Leitungsverluste für höchste Wärmeeffizienz

•Robustes Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit

•Standardgehäuse TO-252, TO-263, TO-220, TO-262

Anwendungsmöglichkeiten


•Hochspannungsseitige MOSFETs für Motorbrücken (Halb-Brücken, H-Brücken, 3-Phasen-Motoren)

•Brückenkonfiguration kann mit 40-V-P-Kanal als High-Side-Gerät ohne Ladungspumpe realisiert werden

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