STMicroelectronics SCTW N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 388 W, 4-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 230-0093
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA60N120G2-4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 230-0093
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA60N120G2-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCTW | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 388W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.9mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Breite | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCTW | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 388W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.9mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Breite 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics SCTWA60N ist ein Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät, das mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt wurde. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz
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