Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 238 A 125 W, 8-Pin ISC012N04LM6ATMA1 TDSON

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RS Best.-Nr.:
233-4395
Herst. Teile-Nr.:
ISC012N04LM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

238A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

ISC

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.35mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.1mm

Breite

1.2 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS 6 Leistungs-MOSFET 40 V-Familie hat einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on) und ist für synchrone Anwendungen optimiert.

Höhere Betriebstemperatur bis 175 °C.

Überragende Wärmeleistung

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