Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.55 A 4.2 W, 3-Pin ISP98DP10LMXTSA1 SOT-223

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RS Best.-Nr.:
235-4880
Herst. Teile-Nr.:
ISP98DP10LMXTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

ISP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

4.2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.5nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

7.3mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.7mm

Breite

1.8 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS TM P-Kanal-MOSFETs 100 V im SOT-223-Gehäuse stellen die neue Technologie für Batterie-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen dar. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Geräts ist die Reduzierung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistungsaufnahme. Seine einfache Schnittstelle zur MCU, das schnelle Schalten sowie die Lawinenbeständigkeit machen ihn für hochwertige anspruchsvolle Anwendungen geeignet. Er ist in normaler Ausführung mit einem großen RDS(on)-Bereich erhältlich und verbessert den Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten aufgrund niedriger Qg. Sie wird in Batterie- und Industrieautomatisierung eingesetzt.

Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz

Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen

SMD-Gehäuse mit Industriestandard-Abmessungen

Robuste, zuverlässige Leistung

Erhöhte Sicherheit der Versorgung

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