Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 433 A 188 W, 8-Pin TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.11.11

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.2.222CHF.11.09
50 - 120CHF.2.00CHF.9.99
125 - 245CHF.1.889CHF.9.43
250 - 495CHF.1.757CHF.8.77
500 +CHF.1.616CHF.8.10

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
236-3645
Herst. Teile-Nr.:
BSC005N03LS5IATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

433A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS™

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.5mΩ

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.1mm

Breite

6.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.49mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET bietet Referenzlösungen durch die Aktivierung höchster Leistungsdichte und Energieeffizienz, sowohl im Standby- als auch im Vollbetrieb. Er bietet einen Durchlasswiderstand der Drain-Quelle von 0,55 m Ohm.

Höchster Wirkungsgrad

Höchste Leistungsdichte im SuperSO8-Gehäuse

Reduzierung der Gesamtsystemkosten

RoHS-konform

Halogenfrei

Verwandte Links