Infineon ISS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3 A 81 W, 3-Pin SOT-23

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
244-2274
Herst. Teile-Nr.:
ISS17EP06LMXTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

ISS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon bietet Designflexibilität und einfache Handhabung, um die höchsten Leistungsanforderungen zu erfüllen, zu denen die -12-V-Serie von Produkten gehört, die sich ideal für Batterieschutz, Verpolungsschutz, lineare Batterieladegeräte, Lastschalter, DC/DC-Konverter und Niederspannungs-Antriebsanwendungen eignen.

P-Kanal

Niedriger Durchlasswiderstand RDS(on)

100 % Avalanche-getestet

Logikpegel oder Normalpegel

Enhancement-Modus

Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform

Halogenfrei nach IEC61249-2-21

Verwandte Links