Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V N / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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249-6889
Herst. Teile-Nr.:
IAUC60N04S6L030HATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

OptiMOS-TM6

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Verlustleistung Pd

75W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Halbbrücke

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon OptiMOS ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Der Betriebskanal ist N. Er ist AEC Q101-qualifiziert. MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow. Grünes Produkt (RoHS-konform) und 100 % Lawinengeprüft.

175 °C Betriebstemperatur

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