Infineon Halbbrücke OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 40 V N / 60 A 75 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.4.364

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 776 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF 2.182CHF 4.36
20 - 48CHF 1.939CHF 3.87
50 - 98CHF 1.808CHF 3.62
100 - 198CHF 1.757CHF 3.52
200 +CHF 1.737CHF 3.46

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
249-6889
Herst. Teile-Nr.:
IAUC60N04S6L030HATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOS-TM6

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Verlustleistung Pd

75W

Gate-Source-spannung max Vgs

16V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Halbbrücke

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon OptiMOS ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Der Betriebskanal ist N. Er ist AEC Q101-qualifiziert. MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow. Grünes Produkt (RoHS-konform) und 100 % Lawinengeprüft.

175 °C Betriebstemperatur

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.