Infineon BSV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / 1.50 A 81 W, 6-Pin US

Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbarer Transistor, der für Schalt- und analoge Funktionen in kompakten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C und eignet sich für Anwendungen, die geringe Leitungsverluste und eine geringe Dauerstrombelastbarkeit erfordern. Das Gerät verwendet einen P-Kanal-Kanal im Enhancement-Modus und ist in einem kleinen SOT-363-Gehäuse für dichte Leiterplatten-Layouts erhältlich.

• Niedrige Rds(on) von 4.20 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• 20-V-Gate-Toleranz unterstützt P-Kanal-Schaltung mit mittlerer Spannung
• Die Dauerstromfähigkeit von 1,50 A ermöglicht gleichbleibende niedrige Stromlasten
• 81 W Verlustleistung ermöglicht kurzzeitige Handhabung höherer Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht eine vorhersehbare Steuerung der Schaltenergie

• Geeignet für die Hochtemperatur-Stromübertragung im Automobilbereich
• Ideal für das Schalten von oberflächenmontierten Lasten auf kompakten Leiterplatten
• Einsatz mit Gate-Treibern in Batteriemanagementsystemen
• Kann zum Polaritätsschutz und zur Rückstromregelung verwendet werden

Er wird in einem SOT-363-Gehäuse geliefert, das für oberflächenmontierte Designs mit begrenztem Platzangebot geeignet ist.

Die Gate-to-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, sodass Treiberschaltungen die Vgs innerhalb dieses Bereichs halten sollten.

Er erfüllt die AEC-Q101-Standards für die Qualifizierung von Halbleitern in Automobilqualität.

Der Bemessungsbetrieb reicht von -55 °C bis +150 °C, um Anwendungen mit extremen Temperaturen zu ermöglichen.