Infineon BSV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / -1.5 A 81 W, 6-Pin US

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

CHF.7.05

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1'340 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
50 - 90CHF.0.141
100 - 240CHF.0.121
250 - 490CHF.0.111
500 +CHF.0.101

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
250-0562P
Herst. Teile-Nr.:
BSV236SPH6327XTSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-1.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

US

Serie

BSV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineons OptiMOS-P ist ein Small-Signal-Transistor mit P-Kanal im Enhancement-Modus. Der Super Logikpegel (2,5 V Nennspannung). Das Produkt ist Avalanche-getestet und dv/dt-fähig.

VDS ist 20 V, Rds(on) ist 175 mΩ und Id ist 1,5 A

150 °C Betriebstemperatur

Maximale Verlustleistung ist 560 mW

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.