Teile-Nr.

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 6 A, 8-Pin SI5468DC-T1-GE3 ChipFET

RS Best.-Nr.:: 256-7369
Herst. Teile-Nr.:: SI5468DC-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 6 A, 8-Pin SI5468DC-T1-GE3 ChipFET

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RS Best.-Nr.:: 256-7369
Herst. Teile-Nr.:: SI5468DC-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	ChipFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße ChipFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SI5468DC-T1-GE3

Der Vishay Semiconductor N-Ch 1206-8 chipFET 30 V halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 Definition und seine Anwendung sind Systemstrom, Lastschalter, niedriger Strom DC, DC.

TrenchFET Power Mosfet

100 % Rg-geprüft

Impulsprüfungsimpulsbreite ≤ 300 μs, Arbeitszyklus ≤ 2 %

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 6 A, 8-Pin SI5468DC-T1-GE3 ChipFET

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