Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 650 V / 24 A 250 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 256-7412
Herst. Teile-Nr.:: SIHB24N65E-GE3
Marke:: Vishay

Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 650 V / 24 A 250 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 256-7412
Herst. Teile-Nr.:: SIHB24N65E-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	24A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	E
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.145Ω
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	122nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	250W
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie E
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.145Ω
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 122nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 250W
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHB24N65E-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 24 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB24N65E-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in elektronischen und industriellen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Integration in belegte Baugruppen geeignet ist, bei denen eine hohe Spannungsbelastbarkeit erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Drain-Source-Spannung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 24 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung einer erheblichen Lastübernahme
• 0,145 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• 250 W Verlustleistung ermöglicht dauerhafte thermische Belastung
• 122 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• 30 V Gate-Source-Nennleistung bietet eine große Gate-Drive-Marge

Anwendungen

• Geeignet für SMPS-Primärseitiges Schalten in Hochspannungsversorgungen
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontend-Schalter
• Wird für die Hochspannungs-DC/DC-Umwandlung in Automatisierungssystemen verwendet
• Kann für Leistungsstufenschalter in Schweiß- oder Heizsteuerungen verwendet werden

Welche thermischen Grenzwerte sollte ich für den Hochleistungsbetrieb berücksichtigen?

Das Gerät ist für den Betrieb bei einer Sperrschichttemperatur von bis zu +150 °C und bis zu -55 °C ausgelegt, sodass ein Wärmemanagement wie ein geeigneter Kühlkörper oder ein Leiterplatten-Kupferbereich erforderlich ist, um sichere Sperrschichttemperaturen bei hoher Verlustleistung aufrechtzuerhalten.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Auswahl der Antriebsschaltkreise aus?

Mit einer typischen Gate-Ladung von 122 nC bei der spezifizierten Gate-Spannung müssen Antriebsschaltkreise genügend Strom liefern und ableiten, um die erforderliche Schaltgeschwindigkeit zu erreichen, wobei Schaltverluste und Treiberleistung berücksichtigt werden müssen.

Welche Befestigungsaspekte sind für die Zuverlässigkeit der Montage erforderlich?

Es wird in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse mit drei Stiften geliefert, sodass Standard-Reflow-Lötverfahren und das richtige Pad-Design verwendet werden sollten, um eine mechanische und thermische Verbindung zu gewährleisten.

Welches Umwelt- oder Regulierungsattribut ist enthalten?

Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen, was bedeutet, dass sie die angegebenen Beschränkungen für gefährliche Substanzen erfüllt.