Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 500 V / 5.3 A SIHU5N50D-GE3 IPAK

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RS Best.-Nr.:
256-7417
Herst. Teile-Nr.:
SIHU5N50D-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.033Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal 500 V 5,3 A (Tc) 104 W (Tc) TO-251AA von Vishay Semiconductor mit Durchgangsbohrung und seinen Anwendungen sind Unterhaltungselektronik-Displays, Server- und Telekommunikationsnetzteile, SMPS und in der Industrie Schweißen, Induktionsheizung, Motorantriebe und Akkuladegeräte.

Niedriger Bereichsspezifischer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Geringere kapazitive Schaltverluste

Hohe Gehäuse-Dioden-Robustheit

Optimaler Wirkungsgrad und Betrieb

Einfache Gate-Antriebsstromkreise

Schnelles Schalten

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