Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET -30 V / -8 A 2 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 257-9304
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7328TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 257-9304
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7328TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 32mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 32mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist das -30-V-Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Kann wellenförmig gelötet werden
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