Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 31 A 110 W TO-252

RS Best.-Nr.:: 257-9403
Herst. Teile-Nr.:: IRFR3410TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 31 A 110 W TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 257-9403
Herst. Teile-Nr.:: IRFR3410TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	31A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	39mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	37nC
	Maximale Verlustleistung Pd	110W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 39mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC
	Maximale Verlustleistung Pd 110W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFR3410TRPBF

Die IRFR-Serie von Infineon ist ein 100-V-Einfach-N-Kanal-IR-Mosfet in einem D-Pak-Gehäuse. Die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Industriestandard-Abmessungen für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 31 A 110 W TO-252

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