Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 43 A 71 W TO-252

RS Best.-Nr.:: 257-9408
Herst. Teile-Nr.:: IRFR3806TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 43 A 71 W TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 257-9408
Herst. Teile-Nr.:: IRFR3806TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	43A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15.8mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	22nC
	Maximale Verlustleistung Pd	71W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.8mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC
	Maximale Verlustleistung Pd 71W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFR3806TRPBF

Die IRFR-Serie von Infineon ist ein 60-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 43 A 71 W TO-252

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