Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 127 W, 3-Pin IPB65R099CFD7AATMA1 PG-TO263-3

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

CHF.24’465.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 02. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +CHF.24.465CHF.24’461.85

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-2777
Herst. Teile-Nr.:
IPB65R099CFD7AATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

99mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

53nC

Maximale Verlustleistung Pd

127W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET von Infineon ist ein Leistungsbauteil des Typs CoolMOS CFD7 A mit 650 V. Es handelt sich um einen CoolMOS MOSFET der neuesten Generation von marktführenden, für den Automobilbereich qualifizierten Hochspannungsbauteilen von Infineon. Zusätzlich zu den von den bereits bekannten und von der Automobilindustrie benötigten Eigenschaften wie hohe Qualität und Zuverlässigkeit bietet die neue CoolMOS CFD7A-Serie eine integrierte schnelle Bodydiode und kann für PFC- und resonante Schalttopologien wie die ZVS-Phasenverschiebungs-Vollbrücke und LLC verwendet werden.

Geringere Schaltverluste

Hohe Qualität und Zuverlässigkeit

100 Prozent gegen Lawinendurchbruch getestet

Optimiert für höhere Batteriespannungen

Verwandte Links