Infineon BSZ12DN20NS3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 11.3 A 50 W, 8-Pin PG-TSDSON-8

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RS Best.-Nr.:
273-5249
Herst. Teile-Nr.:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

BSZ12DN20NS3 G

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.5nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

40mm

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, JEDEC1

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET hat eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen und eine Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius qualifiziert. Es handelt sich um eine für die DC/DC-Umwandlung optimierte Einheit.

Halogenfrei

RoHS-konform

Bleifreie Kabelbeschichtung

Sehr geringer Einschaltwiderstand

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