Infineon BSZ12DN20NS3 G Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 11.3 A 50 W, 8-Pin PG-TSDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 273-5250
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ12DN20NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.31.06
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.6.212 | CHF.31.08 |
| 50 - 495 | CHF.5.191 | CHF.25.94 |
| 500 - 995 | CHF.4.434 | CHF.22.19 |
| 1000 - 2495 | CHF.4.363 | CHF.21.80 |
| 2500 + | CHF.4.282 | CHF.21.39 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-5250
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ12DN20NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | PG-TSDSON-8 | |
| Serie | BSZ12DN20NS3 G | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 40mm | |
| Breite | 40 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße PG-TSDSON-8 | ||
Serie BSZ12DN20NS3 G | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 40mm | ||
Breite 40 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET hat eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen und eine Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius qualifiziert. Es handelt sich um eine für die DC/DC-Umwandlung optimierte Einheit.
Halogenfrei
RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
Sehr geringer Einschaltwiderstand
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