Teile-Nr.

Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 75 V / 100 A, 3-Pin PG-TO-220

RS Best.-Nr.:: 273-7463
Herst. Teile-Nr.:: IPP034NE7N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 75 V / 100 A, 3-Pin PG-TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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20 - 98	CHF.2.51	CHF.5.02
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RS Best.-Nr.:: 273-7463
Herst. Teile-Nr.:: IPP034NE7N3GXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	100A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	75V
	Gehäusegröße	PG-TO-220
	Serie	IPP
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.4mΩ
	Channel-Modus	N
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	117nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	16mm
	Höhe	23.45mm
	Breite	10.363 mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 75V
	Gehäusegröße PG-TO-220
	Serie IPP
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.4mΩ
	Channel-Modus N
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 117nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 16mm
	Höhe 23.45mm
	Breite 10.363 mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPP034NE7N3GXKSA1

Infineons MOSFET verfügt über eine optimierte Technologie für synchrone Gleichrichtung mit hervorragender Gate-Ladung. Dieser MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und Gleichspannungswandler. Er ist zu 100 Prozent Avalanche-getestet.

Halogenfrei

Pb-freie Bleibeschichtung

RoHS-konform

Sehr niedriger Widerstand

N-Kanal und Normalpegel

Infineon IPP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 75 V / 100 A, 3-Pin PG-TO-220

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