Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 541-1506
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1310NPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.2.646
Auf Lager
- 147 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 20 Einheit(en) mit Versand ab 22. September 2026
- Zusätzlich 1'000 Einheit(en) mit Versand ab 11. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 2.65 |
| 10 - 49 | CHF 1.92 |
| 50 - 99 | CHF 1.83 |
| 100 - 249 | CHF 1.70 |
| 250 + | CHF 1.56 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 541-1506
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1310NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 36mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.69mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 36mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.69mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 8.77mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 42 A 160 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 59 A 160 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 160 A 220 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 160 A 230 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 190 A 220 W, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 160 A, 7-Pin TO-263