Vishay IRFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 1.3 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
541-1691
Herst. Teile-Nr.:
IRFD120PBF
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

HVMDIP

Serie

IRFD

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

270mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

2.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

3.37mm

Länge

5mm

Breite

6.29 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links