Vishay IRF9Z14 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung -60 V / -6.7 A 43 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein P-Kanal-Gerät, das für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in der Elektronik mit mittlerer Leistung entwickelt wurde. Er arbeitet mit negativen Drain-Source- und Gate-Source-Polaritäten und wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für Leiterplatten geeignet ist, die eine robuste Montage und thermische Schnittstelle erfordern. Die Komponente entspricht der RoHS-Richtlinie und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine definierte Gate-Steuerung und eine zuverlässige Stromverarbeitung in beengten thermischen Umgebungen erfordern.

• Ausgelegt für eine Ablass-Quellenspannung von -60 V, was P-Kanal-Designs mit höherer Spannung ermöglicht
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von -6,7 A unterstützt erhebliche Lastströme
• Maximale Verlustleistung von 43 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 12 nC reduziert die Schaltenergie und die Übergangsverluste
• Niedriger RDS(on) von 500 mΩ minimiert Leitungsverluste unter Betriebsbedingungen
• Toleranter Betriebsbereich von -55 °C bis 175 °C für Systeme mit erhöhter Temperatur

• Geeignet für Audio-Verstärker-Leistungsstufen-Schaltfunktionen
• Ideal für diskretes High-Side-Schalten in Netzteilen
• Wird bei Durchsteckmontagen verwendet, die eine feste Kühlkörperbefestigung erfordern
• Kann für Motortreiberkreise verwendet werden, die eine P-Kanal-Konfiguration benötigen
• Geeignet zum Austausch in Designs, die 60-V-P-Kanal-Geräte benötigen

Das Gerät wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit drei Stiften für die Durchsteckmontage geliefert, was einfache Lötverbindungen und mechanische Stabilität ermöglicht.

Die maximale Gate-Source-Nennspannung beträgt 20 V, sodass Treiberschaltungen die Gate-Swings innerhalb dieses Grenzwerts halten müssen, um Schäden zu vermeiden.

Mit einer maximalen Verlustleistung von 43 W sollten die Entwickler einen Kühlkörper oder eine ausreichende Kupferfläche bereitstellen und thermische Wege in Betracht ziehen, um die Sperrschichttemperaturen aufrechtzuerhalten.

Als P-Kanal-Verbesserungsgerät erfordert es eine Gate-Spannung, die positiver im Verhältnis zur Quelle zum Abschalten und negativ im Verhältnis zur Quelle zum Einschalten ist, was für High-Side-Anordnungen geeignet ist.