Vishay IRFR420 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.4 A 42 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 710-4657
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR420TRPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.10.71
Auf Lager
- Zusätzlich 1'430 Einheit(en) mit Versand ab 08. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.071 | CHF.10.69 |
| 100 - 240 | CHF.1.05 | CHF.10.46 |
| 250 - 490 | CHF.0.909 | CHF.9.09 |
| 500 - 990 | CHF.0.869 | CHF.8.66 |
| 1000 + | CHF.0.707 | CHF.7.05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 710-4657
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR420TRPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IRFR420 | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IRFR420 | ||
Montageart Durchsteckmontage, Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRFR420 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.4 A 42 W, 3-Pin TO-252
- Vishay IRFR320 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 3.1 A 42 W, 3-Pin TO-252
- Vishay IRFR9120 Typ P-Kanal, Oberfläche, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 42 W, 3-Pin TO-252
- Vishay D Series Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 3 A 104 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 2.4 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STP N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 125 W, 2-Pin TO-252
- STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 47 W, 2-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 29 A 69 W, 3-Pin TO-252