Vishay IRFR420 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.4 A 42 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 710-4657
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR420TRPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 710-4657
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR420TRPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | IRFR420 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie IRFR420 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFR420 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 500 V, maximale Verlustleistung 42 W – IRFR420TRPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in industriellen und elektronischen Geräten entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen und wird in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für Baugruppen auf Platinenebene geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Drain-Source-Spannung von 500 V für Hochspannungsschaltfähigkeit
• 3 Ω Rds(on) ermöglicht vorhersehbare Leitungsverluste
• 2,4 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung von Steady-State-Lasten
• 19 nC Gate-Ladung unterstützt effiziente Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 42 W für die Budgetierung der thermischen Leistung
• 20-V-Gate-Source-Nennleistung für hohe Gate-Drive-Margen
• 3 Ω Rds(on) ermöglicht vorhersehbare Leitungsverluste
• 2,4 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung von Steady-State-Lasten
• 19 nC Gate-Ladung unterstützt effiziente Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 42 W für die Budgetierung der thermischen Leistung
• 20-V-Gate-Source-Nennleistung für hohe Gate-Drive-Margen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für industrielle Motorsteuerungsfrontenden
• Einsatz mit isolierten DC/DC-Wandlern in Stromversorgungssystemen
• Kann für Lampen- und Heizschaltkreise verwendet werden
• Geeignet für robuste Elektronik, die bei extremen Temperaturen arbeitet
• Ideal für industrielle Motorsteuerungsfrontenden
• Einsatz mit isolierten DC/DC-Wandlern in Stromversorgungssystemen
• Kann für Lampen- und Heizschaltkreise verwendet werden
• Geeignet für robuste Elektronik, die bei extremen Temperaturen arbeitet
Welche Befestigungsmethode sollte für einen zuverlässigen Betrieb verwendet werden?
Das Gehäuse ist ein TO-252-Oberflächenmontage-Typ, sodass Standard-SMT-Reflow-Prozesse und kompatible Erdungsmuster für die Leiterplattenmontage geeignet sind.
Welche thermischen Grenzwerte müssen Entwickler bei der Gestaltung berücksichtigen?
Das Gerät leitet bis zu 42 W ab
Kupferfläche, Wärmeleitungen und ausreichende Wärmeableitung auf der Leiterplatte sind erforderlich, um die Sperrschichttemperatur innerhalb der Grenzen zu halten.
Wie wirkt sich die Wahl des Gate-Antriebs auf die Schaltleistung aus?
Ein Antrieb, der der 20-V-Gate-Source-Grenze nähert, sorgt für ein schnelleres Einschalten, während die Gate-Ladeziffer von 19 nC hilft, den erforderlichen Antriebsstrom und die Schaltverluste zu schätzen.
Welchen extremen Umgebungsbedingungen kann er standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Anwendungen mit großen Umgebungs- und Sperrschichttemperaturschwankungen.
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