Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 49 A 2.5 W, 8-Pin BSC093N04LSGATMA1 TDSON

RS Best.-Nr.:: 752-8164
Herst. Teile-Nr.:: BSC093N04LSGATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 49 A 2.5 W, 8-Pin BSC093N04LSGATMA1 TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 752-8164
Herst. Teile-Nr.:: BSC093N04LSGATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	49A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	OptiMOS 3
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	13.7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	8.6nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.35mm
	Breite	5.35 mm
	Höhe	1.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 49A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie OptiMOS 3
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.6nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.35mm
	Breite 5.35 mm
	Höhe 1.1mm
	Automobilstandard Nein

Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 49A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,5W maximale Verlustleistung - BSC093N04LSGATMA1

Dieser MOSFET wurde für effizientes Leistungsmanagement und -steuerung entwickelt und spielt eine wichtige Rolle in Automatisierungs- und Elektroanwendungen, die eine hohe Leistung erfordern. Seine Integration verbessert die Effizienz der Schaltkreise und trägt zur Zuverlässigkeit und Reaktionsfähigkeit des Gesamtsystems in verschiedenen Umgebungen bei.

Eigenschaften und Vorteile

• Bietet einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 49 A

• Funktioniert effektiv in einem Spannungsbereich von 40 V

• Niedriger Drain-Source-Widerstand verbessert die Leistung

• Unterstützt die Oberflächenmontage für eine einfachere Integration

• Hohe thermische Stabilität mit einer Höchsttemperatur von +150°C

• Geeignet für verschiedene Anwendungen durch einen weiten Gate-Schwellenspannungsbereich

Anwendungsbereich

• Ideal für Strom in der Automatisierung und Robotik

• Verwendet in Ladesystemen für Elektrofahrzeuge

• Geeignet für Stromversorgungs- und Umwandlungsaufgaben

• Anwendung in Motorsteuerungsschaltungen und Antrieben

• Einsatz in der Telekommunikation für effizientes Signalmanagement

Welche Art von Belastung kann dieses Gerät effektiv bewältigen?

Er kann Lasten von bis zu 49 A bewältigen und ist damit für Hochstromanwendungen in verschiedenen Branchen geeignet.

Ist sie mit der Oberflächenmontagetechnik kompatibel?

Ja, er ist oberflächenmontierbar, was eine einfache Installation auf PCBs ermöglicht.

Wie hoch ist die Gate-Spannung für dieses Bauteil?

Der Baustein verfügt über Gate-Source-Spannungsgrenzen von -20V bis +20V, was Flexibilität bei der Schaltungsentwicklung ermöglicht.

Kann es unter extremen Temperaturbedingungen arbeiten?

Ja, er arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und gewährleistet so die Funktionalität in rauen Umgebungen.

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V

optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS

Optimierte Technik für DC/DC-Wandler

Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen

N-Kanal, Logikebene

Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)

Sehr geringer Widerstand R DS(ON)

Pb-frei Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.