onsemi NDT451AN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.2 A 3 W, 4-Pin NDT451AN SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:
NDT451AN
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

NDT451AN

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-65°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

3W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.7 mm

Höhe

1.7mm

Länge

6.7mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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