onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.3 A 3 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 166-2704
- Herst. Teile-Nr.:
- FDT439N
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*
CHF.1’092.00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4000 + | CHF.0.273 | CHF.1’096.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-2704
- Herst. Teile-Nr.:
- FDT439N
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.072Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.56 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.072Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.56 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.6mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.3 A 3 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 9.4 A 6.3 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 6.3 W, 3-Pin SOT-223
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3 A 2.1 W, 3-Pin SOT-223
- onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3 A 2.1 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi NDT451AN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.2 A 3 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi NTF3055L108 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3 A 2.1 W, 4-Pin SOT-223
- onsemi NDT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.8 A 3 W, 4-Pin SOT-223