Vishay Si7164DP Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 104 W, 8-Pin SI7164DP-T1-GE3 PowerPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.3.906

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 2’933 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
1 +CHF.3.91

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
787-9529
Herst. Teile-Nr.:
SI7164DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Serie

Si7164DP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00625Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

5.26 mm

Höhe

1.12mm

Länge

6.25mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links