Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 73 A 3 W, 8-Pin SON
- RS Best.-Nr.:
- 827-4833
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17307Q5A
- Marke:
- Texas Instruments
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- Texas Instruments
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 73A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SON | |
| Serie | NexFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.8mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 73A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SON | ||
Serie NexFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3W | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.8mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 5 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
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