Texas Instruments Einfach NexFET N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 100 A 3.2 W, 8-Pin VSONP

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RS Best.-Nr.:
827-4909
Herst. Teile-Nr.:
CSD18563Q5A
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Transistor-Konfiguration

Einfach

Serie

NexFET

Kabelkanaltyp

N

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

100 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

3.2 W

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

VSONP

Automobilstandard

Nein

Durchlassspannung (Vf)

800 mV

Höhe

1.1 mm

Länge

5.8 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

10.8 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-20 V, +20 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Normen/Zulassungen

No

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

15 nC

Breite

5 mm

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments


MOSFET Transistors, Texas Instruments


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