Texas Instruments Einfach NexFET Typ N, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 100 A 3.2 W, 8-Pin VSONP

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RS Best.-Nr.:
827-4909
Herst. Teile-Nr.:
CSD18563Q5A
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

VSONP

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3.2W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Höhe

1.1mm

Länge

5.8mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

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