Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 12 A 45 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 919-4858
Herst. Teile-Nr.:: IRF9Z24NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 12 A 45 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 919-4858
Herst. Teile-Nr.:: IRF9Z24NPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	12A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	175mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	19nC
	Durchlassspannung Vf	-1.6V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	45W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	4.69 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.54mm
	Höhe	8.77mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 175mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC
	Durchlassspannung Vf -1.6V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 45W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 4.69 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.54mm
	Höhe 8.77mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 12A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 45W maximale Verlustleistung - IRF9Z24NPBF

Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen konzipiert. Mit seiner P-Kanal-Konfiguration eignet er sich gut für kontrolliertes Schalten und verbesserten Stromfluss. Das Produkt spielt eine entscheidende Rolle bei der Ansteuerung von Hochleistungslasten und gewährleistet gleichbleibende Leistung und thermische Stabilität unter schwierigen Bedingungen.

Eigenschaften und Vorteile

• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 12 A

• Maximale Drain-Source-Spannung von 55 V

• Niedriger RDS(on) von 175mΩ für geringere Verlustleistung

• Funktioniert sowohl mit negativer als auch mit positiver Gate-Source-Spannung

Anwendungsbereich

• Einsatz in Energiemanagementsystemen für die Automatisierung

• Eingesetzt in Schaltnetzteilen für die Elektronik

• Vorteilhaft in Audioverstärkern für verbesserte Leistung

• Üblich in verschiedenen Unterhaltungselektronikgeräten zur effizienten Energienutzung

Wie hoch ist die typische Gate-Ladung für eine optimale Leistung?

Die typische Gate-Ladung beträgt 19nC bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V und sorgt für effektive Schalteigenschaften.

Wie wirkt sich der Kanaltyp auf die Funktionalität aus?

Als P-Kanal-MOSFET lässt er sich besser in High-Side-Schaltanwendungen integrieren, was die potenziellen Einsatzszenarien in Leistungsschaltungen erweitert.

Welche Bedeutung hat der Temperaturbereich?

Der Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C gewährleistet die Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen und macht ihn vielseitig einsetzbar für unterschiedliche industrielle Anwendungen.

Kann es in Hochfrequenz-Schaltanwendungen eingesetzt werden?

Ja, die Kombination aus niedriger Gate-Ladung und niedrigem Widerstand macht ihn für Hochfrequenzanwendungen geeignet und steigert die Leistungseffizienz.

Welche Überlegungen sollten bei der Installation angestellt werden?

Sorgen Sie für ein angemessenes Wärmemanagement und eine geeignete Montage, um eine wirksame Wärmeableitung zu ermöglichen, was die Langlebigkeit und Zuverlässigkeit im Betrieb erhöhen kann.