Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 12 A 45 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4858
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9Z24NPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 919-4858
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9Z24NPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 175mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.69mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.54mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 175mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.69mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.54mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 12A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 45W maximale Verlustleistung - IRF9Z24NPBF
Dieser Hochleistungs-MOSFET ist für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen Anwendungen konzipiert. Mit seiner P-Kanal-Konfiguration eignet er sich gut für kontrolliertes Schalten und verbesserten Stromfluss. Das Produkt spielt eine entscheidende Rolle bei der Ansteuerung von Hochleistungslasten und gewährleistet gleichbleibende Leistung und thermische Stabilität unter schwierigen Bedingungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 12 A
• Maximale Drain-Source-Spannung von 55 V
• Niedriger RDS(on) von 175mΩ für geringere Verlustleistung
• Funktioniert sowohl mit negativer als auch mit positiver Gate-Source-Spannung
Anwendungsbereich
• Einsatz in Energiemanagementsystemen für die Automatisierung
• Eingesetzt in Schaltnetzteilen für die Elektronik
• Vorteilhaft in Audioverstärkern für verbesserte Leistung
• Üblich in verschiedenen Unterhaltungselektronikgeräten zur effizienten Energienutzung
Wie hoch ist die typische Gate-Ladung für eine optimale Leistung?
Die typische Gate-Ladung beträgt 19nC bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V und sorgt für effektive Schalteigenschaften.
Wie wirkt sich der Kanaltyp auf die Funktionalität aus?
Als P-Kanal-MOSFET lässt er sich besser in High-Side-Schaltanwendungen integrieren, was die potenziellen Einsatzszenarien in Leistungsschaltungen erweitert.
Welche Bedeutung hat der Temperaturbereich?
Der Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C gewährleistet die Zuverlässigkeit in verschiedenen Umgebungen und macht ihn vielseitig einsetzbar für unterschiedliche industrielle Anwendungen.
Kann es in Hochfrequenz-Schaltanwendungen eingesetzt werden?
Ja, die Kombination aus niedriger Gate-Ladung und niedrigem Widerstand macht ihn für Hochfrequenzanwendungen geeignet und steigert die Leistungseffizienz.
Welche Überlegungen sollten bei der Installation angestellt werden?
Sorgen Sie für ein angemessenes Wärmemanagement und eine geeignete Montage, um eine wirksame Wärmeableitung zu ermöglichen, was die Langlebigkeit und Zuverlässigkeit im Betrieb erhöhen kann.
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