onsemi IGBT / 40 A ±20V max., 650 V 267 W, 2+Tab-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 135-8687
- Herst. Teile-Nr.:
- FGB40T65SPD_F085
- Marke:
- ON Semiconductor
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.4.37 |
| 10 - 99 | CHF.3.68 |
| 100 - 249 | CHF.2.80 |
| 250 + | CHF.2.50 |
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- RS Best.-Nr.:
- 135-8687
- Herst. Teile-Nr.:
- FGB40T65SPD_F085
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 40 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 267 W | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 2+Tab | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Gate-Kapazität | 1520pF | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 40 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 267 W | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 2+Tab | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Gate-Kapazität 1520pF | ||
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