Diskrete Halbleiter

Bei uns finden Sie eine große Auswahl an diskreten Halbleiter, bestehend aus umfangreichen Sortimenten an Transistoren, Dioden, Gleichrichtern und Modulen. Es stehen verschiedene Marken zur Auswahl, darunter ON Semiconductors, Vishay, Infineon, DiodesZetex und viele mehr.

Was ist ein diskretes Halbleiterbauteil?

Ein diskretes Halbleiterbauteil ist im Grunde das Gegenteil eines integrierten Schaltkreises. Es handelt sich hier um Halbleiterbauelemente bzw. Halbleiterbauteile, die, im Gegensatz zu integrierten Halbleiterbauteilen, die auf einer Leiterplatte zu finden sind, nur eine einzige Funktion realisieren.

Diskrete Halbleiter sind in der Regel für höhere Leistungen oder höhere Frequenzen ausgelegt und benötigen daher ein spezielles Gehäuse.

Was wären einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile?

Hier einige Beispiele für diskrete Halbleiterbauteile:

  • Thyristoren: Diese Art von Halbleitern wird häufig als Schalter genutzt, durch den ein Strom bestimmter Stärke fließt.
  • Zenerdioden: Diese diskreten Bauelemente sind die am weitesten verbreiteten Spannungsregler.
  • Bipolartransistoren: transportieren positive und negative Ladungen in analogen Schaltungen.
  • Brückengleichrichter: haben ihren Namen von der speziellen Anordnung von Dioden.
  • MOSFET-Transistoren: sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren und werden häufig für das Schalten und das Verstärken von Signalen verwendet.
  • TRIACs: sind bidirektionale Schalter, die einen Stromfluss in beide Richtungen zulassen.
  • JFET-Transistoren: sind Sperrschicht-Feldeffekttransistoren, deren Widerstand durch eine Spannung gesteuert werden kann.
  • Gleichrichter- und Schottky-Dioden: können sehr schnell schalten, bei niedrigen Spannungsabfällen.
  • DIACs: sind Zweirichtungs-Dioden und werden häufig zum "Zünden" Thyristoren verwendet.
  • Varaktor-Dioden: sind in vielen alltäglichen Geräten zu finden und werden durch eine an sie angelegte Spannung gesteuert.

Wofür können diskrete Bauteile verwendet werden?

Bei diskreten Bauelementen und Bauteilen handelt es sich um die Grundelemente der Elektronik. Daher gibt es eine nahezu unüberschaubare Vielfalt von Anwendungen, sowohl in Geräten und Systemen für die Industrie als auch in der Konsumelektronik.

  • Platzsparend: Ein Darlington-Transistor benötigt weniger Platz als zwei Transistoren
  • Auslöser: Ein DIAC kann zum "Zünden" eines TRIAC verwendet werden.
  • Umschaltung von Signalspannungen: Dafür werden häufig JFET-Transistoren verwendet.
  • Analog und digital: MOSFET-Transistoren sind die meistverwendeten Transistoren für sowohl analoge als auch digitale Schaltungen.
  • Leistungsregler: Thyristoren werden fast nur zu diesem Zweck verwendet.
  • Spannungsregler: Zenerdioden werden am häufigsten für diese Arten von Aufgaben verwendet.
Bipolare Transistoren
Bipolare Transistoren
Brückengleichrichter
Brückengleichrichter
DIACs
DIACs
Darlington Transistoren
Darlington Transistoren
Dioden SIDAC
Dioden SIDAC
IGBT
IGBT
JFET
JFET
Kapazitätsdioden Varactor
Kapazitätsdioden Varactor
Konstantstrom Dioden
Konstantstrom Dioden
MOSFET
MOSFET
Schaltdioden
Schaltdioden
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Suppressordioden TVS
Suppressordioden TVS
TRIAC Thyristortrioden
TRIAC Thyristortrioden
Thyristoren
Thyristoren
Zener Dioden
Zener Dioden
pin-Dioden
pin-Dioden

55756 Produkte angezeigt für Diskrete Halbleiter

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IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 72 A 1.04 kW, 4-Pin SOT-227
  • RS Best.-Nr. 168-4484
  • Herst. Teile-Nr. IXFN82N60P
Zwischensumme (1 Stange mit 10 Stück)
CHF.467.90
CHF.46.79/Stück
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IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 800 V / 53 A 1.04 kW, 4-Pin SOT-227
  • RS Best.-Nr. 168-4494
  • Herst. Teile-Nr. IXFN60N80P
Zwischensumme (1 Stange mit 10 Stück)
CHF.418.04
CHF.41.804/Stück
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IXYS X2-Class N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 48 A 660 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 168-4810
  • Herst. Teile-Nr. IXTH48N65X2
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)
CHF.184.92
CHF.6.164/Stück
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IXYS GigaMOS, HiperFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD
  • RS Best.-Nr. 168-4794
  • Herst. Teile-Nr. MMIX1T550N055T2
Zwischensumme (1 Stange mit 20 Stück)
CHF.828.76
CHF.41.438/Stück
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IXYS HiperFET, X2-Class N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A 660 W, 3-Pin TO-247
  • RS Best.-Nr. 168-4811
  • Herst. Teile-Nr. IXFH46N65X2
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)
CHF.219.24
CHF.7.308/Stück
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IXYS X2-Class N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 54 A 330 W, 3-Pin ISOPLUS247
  • RS Best.-Nr. 168-4814
  • Herst. Teile-Nr. IXTR102N65X2
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)
CHF.347.22
CHF.11.574/Stück
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Infineon Doppelt HEXFET N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8.1 A 2 W, 8-Pin SOIC
  • RS Best.-Nr. 168-6026
  • Herst. Teile-Nr. IRL6372TRPBF
Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)
CHF.1'192.00
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 293 A 375 W, 8-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 168-6006
  • Herst. Teile-Nr. IRFS3006TRL7PP
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
CHF.1'680.00
CHF.2.10/Stück
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STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 25 A 40 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 168-7081
  • Herst. Teile-Nr. STD25N10F7
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
CHF.1'720.00
CHF.0.688/Stück
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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 128 A 230 W, 3-Pin TO-263
  • RS Best.-Nr. 168-6010
  • Herst. Teile-Nr. IRFS3307ZTRLPBF
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)
CHF.1'267.20
CHF.1.584/Stück
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 500 V / 53 A 460 W, 4-Pin ISOTOP
  • RS Best.-Nr. 168-6097
  • Herst. Teile-Nr. STE53NC50
Zwischensumme (1 Stange mit 10 Stück)
CHF.283.44
CHF.28.344/Stück
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IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 800 V / 37 A 780 W, 4-Pin SOT-227
  • RS Best.-Nr. 168-4753
  • Herst. Teile-Nr. IXFN44N80Q3
Zwischensumme (1 Stange mit 10 Stück)
CHF.448.31
CHF.44.831/Stück
Vorübergehend ausverkauft
Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 32 W, 3-Pin TO-252
  • RS Best.-Nr. 168-5917
  • Herst. Teile-Nr. IPD80R1K4P7ATMA1
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)
CHF.812.50
CHF.0.325/Stück
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Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 171 A 125 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 168-6028
  • Herst. Teile-Nr. IRLB8314PBF
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
CHF.57.20
CHF.1.144/Stück
Auf Lager
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 70 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 168-6704
  • Herst. Teile-Nr. STP3NK80Z
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
CHF.28.70
CHF.0.574/Stück
Derzeit nicht erhältlich
IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 32 A 1.25 kW, 3-Pin PLUS247
  • RS Best.-Nr. 168-4716
  • Herst. Teile-Nr. IXFX32N100Q3
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)
CHF.748.86
CHF.24.962/Stück
Auf Lager
STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 550 V / 13 A 90 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 168-7467
  • Herst. Teile-Nr. STP18N55M5
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
CHF.85.80
CHF.1.716/Stück
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Infineon CoolMOS P6 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 37.9 A 278 W, 4-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 168-5936
  • Herst. Teile-Nr. IPP60R099P6XKSA1
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
CHF.151.20
CHF.3.024/Stück
Vorübergehend ausverkauft
IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 500 V / 82 A 960 W, 4-Pin SOT-227
  • RS Best.-Nr. 168-4752
  • Herst. Teile-Nr. IXFN100N50Q3
Zwischensumme (1 Stange mit 10 Stück)
CHF.425.27
CHF.42.527/Stück
Vorübergehend ausverkauft
STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 7.5 A 85 W, 3-Pin TO-220
  • RS Best.-Nr. 168-6991
  • Herst. Teile-Nr. STP10N60M2
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)
CHF.47.30
CHF.0.946/Stück
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