Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 8-Pin IQE050N08NM5SCATMA1 PG-WHSON-8

Der Infineon-MOSFET verfügt über einen OptiMOS 5-Leistungstransistor mit einer Nennspannung von 80 V, der speziell zur Verbesserung der Effizienz und Leistung moderner elektronischer Anwendungen entwickelt wurde. Es zeichnet sich durch eine hervorragende Synchrongleichrichtung aus, die minimale Energieverluste gewährleistet und die Zuverlässigkeit des Gesamtsystems maximiert. Dank seines niedrigen Einschaltwiderstands und seines außergewöhnlichen Wärmemanagements ist dieser Transistor ideal für anspruchsvolle industrielle Anwendungen, was ihn zu einer bevorzugten Wahl für Ingenieure macht, die eine Optimierung der Leistung anstreben. Mit umfangreichen Lawinentests und einer robusten Konstruktion verspricht es Langlebigkeit in schwierigen Umgebungen und entspricht den weltweiten RoHS-Normen, was ein starkes Engagement für Sicherheit und Nachhaltigkeit gewährleistet.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung