ROHM AG502EG Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V / 68 A 77 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 646-617
- Herst. Teile-Nr.:
- AG502EGD3HRBTL
- Marke:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- AG502EGD3HRBTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 68A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | AG502EG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48.0nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 77W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie AG502EG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48.0nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 77W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der ROHM-MOSFET in Kfz-Klasse ist AEC-Q101-qualifiziert. Ideal für Kfz-Systeme. Diese MOSFETs sind zu 100 Prozent Lawinengeprüft.
Geringer Widerstand
PVC-freie Beschichtung
RoHS-Konformität
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