Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 110 A 160 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-8656
Herst. Teile-Nr.:
IRFB7540PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

StrongIRFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

88nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

160W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Höhe

16.51mm

Breite

4.83 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon


Die Infineon-StrongIRFET-Familie ist optimiert für geringe RDS(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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