Infineon OptiMOS 2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-5868
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS806NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- 165-5868
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS806NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 82mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -8V, +8V | |
| Durchlassspannung Vf | 820mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 82mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -8V, +8V | ||
Durchlassspannung Vf 820mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon OptiMOS™ 2 Series MOSFET, 2,3 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 500 mW maximale Verlustleistung - BSS806NH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist für ein effizientes Leistungsmanagement in verschiedenen elektronischen Anwendungen ausgelegt und unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 2,3 A und eine maximale Drain-Source-Spannung von 20 V. Seine geringen Widerstandsmerkmale tragen dazu bei, Energieverluste zu minimieren, so dass er sich für Anwendungen eignet, die ein hohes Maß an Zuverlässigkeit unter strengen Bedingungen erfordern.
Eigenschaften und Vorteile
• N-Kanal-Konfiguration verbessert die Schaltleistung
• Anreicherungsmodus reduziert Leckagen im Aus-Zustand
• Ultra-Logikpegelkompatibilität, geeignet für 1,8-V-Anwendungen
• Integriertes Avalanche-Rating verbessert die Robustheit unter Stress
• AEC-Q101-qualifiziert für den Einsatz in der Automobilbranche gewährleistet eine dauerhafte Leistung
• Oberflächenmontiertes Design ermöglicht einfache Integration in kompakte Schaltkreise
Anwendungsbereich
• Ideal für das Energiemanagement in der Automobilelektronik
• Einsatz zur Ansteuerung von Niederspannungslasten in Automatisierungssystemen
• Geeignet zum Schalten in Stromversorgungen
• Konzipiert für Betriebsumgebungen mit hohen Temperaturen
Kann es im Automobilbereich eingesetzt werden?
Ja, es ist AEC-Q101-qualifiziert, was seine Eignung für Automobilumgebungen gewährleistet.
Wie groß ist der Betriebstemperaturbereich?
Der Betriebstemperaturbereich liegt zwischen -55°C und +150°C.
Wie wirkt sich sein RDS(on)-Wert auf die Schaltungsleistung aus?
Ein niedriger RDS(on)-Wert verringert die Verlustleistung während des Betriebs und erhöht den Gesamtwirkungsgrad.
Welche Bedeutung hat die Schwellenspannung des Gates?
Die Gate-Schwellenspannung gibt an, wann der MOSFET zu leiten beginnt, was für die Steuerung des Schaltzeitpunkts entscheidend ist.
Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2
Die Infineon-OptiMOS™-2-N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2-Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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