Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 34 A 136 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 165-6701
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP320N20N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 165-6701
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- IPP320N20N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 32mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.57mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 32mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.57mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 34 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 136 W maximale Verlustleistung - IPP320N20N3GXKSA1
Dieser MOSFET bietet eine hohe Leistung für verschiedene elektronische Anwendungen. Mit einer kontinuierlichen Drain-Stromkapazität von bis zu 34 A und einer Drain-Source-Spannung von 200 V ist er eine effiziente Stromversorgungslösung. Der Anreicherungsmodus gewährleistet eine zuverlässige Leistung in Schaltungen, die eine schaltende und synchrone Gleichrichtung erfordern.
Eigenschaften und Vorteile
• N-Kanal-Design für effektive Leistungsumwandlung
• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Energieverluste
• Hohe Betriebstemperaturtoleranz für extreme Bedingungen
• Kompatibel mit hochfrequenten Schaltanwendungen
• Pb-frei und RoHS-konform für umweltfreundlichen Einsatz
• Halogenfreie Materialien verbessern Sicherheit und Konformität
Anwendungsbereich
• Einsatz in Stromversorgungen für die industrielle Automation
• Geeignet für synchrone Gleichrichtung in DC-DC-Wandlern
• Anwendbar in Ladesystemen für Elektrofahrzeuge
• Ideal für Batteriemanagementsysteme in der Unterhaltungselektronik
• Einsatz in Wechselrichtern für erneuerbare Energien zur effizienten Energieübertragung
Wie groß ist der maximale Temperaturbereich für den Betrieb?
Das Bauteil arbeitet effektiv zwischen -55°C und +175°C und ist somit für verschiedene Umgebungsbedingungen geeignet.
Kann er hohe Ableitströme bewältigen?
Ja, er unterstützt kontinuierliche Ableitströme von bis zu 34 A und ist damit für Hochleistungsanwendungen geeignet.
Welche Vorteile bietet die Funktion "niedriger RDS(on)"?
Der niedrige Einschaltwiderstand senkt die Energieverluste während des Betriebs erheblich und verbessert die Effizienz von Hochleistungsschaltanwendungen.
Ist er für den Einsatz im Automobilbereich geeignet?
Mit seiner hohen Temperaturbeständigkeit und seinem geringen Durchlasswiderstand eignet er sich für Anwendungen in der Automobilindustrie und bietet Leistung unter schwierigen Bedingungen.
Wie kann ich bei der Installation eine angemessene Wärmeableitung sicherstellen?
Um ein effektives Wärmemanagement zu erreichen, stellen Sie sicher, dass der MOSFET auf einem Kühlkörper oder einer Leiterplatte mit ausreichender Kupferfläche montiert ist, damit die während des Betriebs entstehende Wärme abgeleitet werden kann.
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