Vishay Doppelt SIA931DJ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V Erweiterung / -4.5 A 5 W, 6-Pin PowerPack

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Herst. Teile-Nr.:
SIA931DJ-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Serie

SIA931DJ

Gehäusegröße

PowerPack

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Höhe

0.8mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.15 mm

Länge

2.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
The Vishay SIA931DJ is a dual P-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of -30V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having Power PAK SC-70 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.065ohms at 10VGS and 0.08ohms at 6VGS. Maximum drain current -4.5A.

Trench FET Gen III power MOSFET

Thermally enhanced Power PAK SC-70 package small footprint area low on resistance

100 % Rg tested

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