Vishay Doppelt SIA931DJ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V Erweiterung / -4.5 A 5 W, 6-Pin PowerPack
- RS Best.-Nr.:
- 180-7884
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA931DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF 0.586 | CHF 11.64 |
| 200 - 480 | CHF 0.566 | CHF 11.41 |
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- RS Best.-Nr.:
- 180-7884
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA931DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Serie | SIA931DJ | |
| Gehäusegröße | PowerPack | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.15mm | |
| Länge | 2.15mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Serie SIA931DJ | ||
Gehäusegröße PowerPack | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.15mm | ||
Länge 2.15mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
The Vishay SIA931DJ is a dual P-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of -30V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having Power PAK SC-70 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.065ohms at 10VGS and 0.08ohms at 6VGS. Maximum drain current -4.5A.
Trench FET Gen III power MOSFET
Thermally enhanced Power PAK SC-70 package small footprint area low on resistance
100 % Rg tested
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