Vishay Einfach N-Kanal MOSFET 500 V / 32 A 460 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 180-8335
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP32N50KPBF
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 180-8335
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 500 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 32 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 460 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Länge | 16.25 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.16 Ω | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 190 nC | |
| Breite | 15.87 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 500 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 32 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 460 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Länge 16.25 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.16 Ω | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 190 nC | ||
Breite 15.87 mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-247AC-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 500V and maximum gate-source voltage of 30V. It has a drain-source resistance of 160mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 460W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt
• Lead (Pb) free component
• Low gate charge Qg results in simple drive requirement
• Low RDS (on)
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
Applications
• Hard switching and high frequency circuits
• High speed power switching
• Switch mode power supply (SMPS)
• Uninterruptible power supplies
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