Vishay Einfach Typ N-Kanal MOSFET 500 V / 32 A 460 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 180-8335
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP32N50KPBF
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 32A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.16Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 190nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 460W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 16.25mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Breite | 15.87mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 32A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.16Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 190nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 460W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 16.25mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Breite 15.87mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der MOSFET von Vishay ist ein N-Kanal-Gehäuse, TO-247AC-3 ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 500 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 160 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 460 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung und Funktionalität.
Merkmale und Vorteile
• Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-Spannung und -Strom
• Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt
• Bleifreie (Pb)-Komponente
• Geringe Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Antriebsanforderungen
• Niedriger RDS (ein)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C
Anwendungen
• Hartschalt- und Hochfrequenzschaltungen
• Hochgeschwindigkeits-Stromversorgungsschaltung
• Schaltnetzteil (SMPS)
• Unterbrechungsfreie Netzteile
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