Vishay Einfach Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 500 V / 11 A 170 W TO-263 IRFS11N50APBF
- RS Best.-Nr.:
- 180-8783
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS11N50APBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.17.905
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.3.581 | CHF.17.91 |
| 50 - 120 | CHF.3.224 | CHF.16.12 |
| 125 - 245 | CHF.3.045 | CHF.15.23 |
| 250 - 495 | CHF.2.867 | CHF.14.32 |
| 500 + | CHF.2.688 | CHF.13.43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8783
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS11N50APBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.52Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.52Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-263-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 500 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 520 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 170 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Effektive Cos spezifiziert
• Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinenspannung und -strom
• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)
• Verbessertes Gate, Lawinen und dynamisches dV/dt
• Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Treiberanforderungen
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
Anwendungen
• Hochgeschwindigkeitsschalten
• Schaltnetzteil (SMPS)
• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
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